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GaN功率放大器上电顺序
为了防止在Vd正常上电时，因为Vgs电压过高，导致PA在饱和模式下工作，因为热损而损坏PA。GaN 功放的上下电必须按照一定的顺序进行：

下图是使用离散器件对功放监测和控制的结构。所有的离散器件都可以通过同类型的数据总线进行操作的，一般使用I2C数据总线。
从设计的观点来看，使用离散器件实现监测和控制的主要优点是，可以从众多器件中选出合适的元件。比如按照自己的设计需求选取合适的采样精度和采样率，接口和通道数的ADC和DAC等。缺点同样很明显，就是所需芯片数量较多，面积较大而且成本高

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可以看到晶体管的源漏电流Ids是栅源电压Vgs的函数，其中包含两项与温度相关参数：载流有效电子迁移率μ和阈值电压Vth。高的Vgs电压会导致高的Ids或高的功率放大器。Ids还取决于漏较电压，但是一般情况下会固定Vd的电压。工程师会使用优化后的Vd电压以获得所需的功率水平。 Vd值对于GaN FET，通常约为50 V；对于LDMOS FET，通常约为28V。