ACE24C512TM+TH

为更好地了解栅较电压和静态电流如何影响功放交流AC性能，可以用金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）模型来代替功放，得到下面公式：

可以看到晶体管的源漏电流Ids是栅源电压Vgs的函数，其中包含两项与温度相关参数：载流有效电子迁移率μ和阈值电压Vth。高的Vgs电压会导致高的Ids或高的功率放大器。Ids还取决于漏较电压，但是一般情况下会固定Vd的电压。工程师会使用优化后的Vd电压以获得所需的功率水平。 Vd值对于GaN FET，通常约为50 V；对于LDMOS FET，通常约为28V。

.Vgs先上电。确保在Vd上电时，栅较已经为低。
2.启动漏较电压电源，Vd上电至标称值。
3.增加Vgs偏置电压，达到设置所需的输出功率。

下图是使用离散器件对功放监测和控制的结构。所有的离散器件都可以通过同类型的数据总线进行操作的，一般使用I2C数据总线。
从设计的观点来看，使用离散器件实现监测和控制的主要优点是，可以从众多器件中选出合适的元件。比如按照自己的设计需求选取合适的采样精度和采样率，接口和通道数的ADC和DAC等。缺点同样很明显，就是所需芯片数量较多，面积较大而且成本高