DMN3110S M5105A2

GaN功率放大器上电顺序
为了防止在Vd正常上电时，因为Vgs电压过高，导致PA在饱和模式下工作，因为热损而损坏PA。GaN 功放的上下电必须按照一定的顺序进行：

为更好地了解栅较电压和静态电流如何影响功放交流AC性能，可以用金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）模型来代替功放，得到下面公式：

可以看到晶体管的源漏电流Ids是栅源电压Vgs的函数，其中包含两项与温度相关参数：载流有效电子迁移率μ和阈值电压Vth。高的Vgs电压会导致高的Ids或高的功率放大器。Ids还取决于漏较电压，但是一般情况下会固定Vd的电压。工程师会使用优化后的Vd电压以获得所需的功率水平。 Vd值对于GaN FET，通常约为50 V；对于LDMOS FET，通常约为28V。

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